当地时间本周四美国司法部（DOJ）宣布，由于共谋限定DRAM储存芯片价格，韩国三星电子（美国）分公司三星半导体的最高官员被判处监禁10个月并支付25万美元的罚款。

　　据美国加利福尼亚州旧金山北区联邦地方法院在本周四的重罪文件显示，三星半导体总裁Young Hwan Park与其他公司共谋限定DRAM芯片价格，违反了美国的《谢尔曼反托拉斯法》（Sherman Antitrust Act），Park已经同意服罪。

　　法院文件显示，在2001年4月份至2002年6月份期间，Park与其他DRAM芯片制造商的员工共谋限定了向原始设备制造商（OEM）销售的DRAM芯片的价格。司法部表示，受到影响的计算机制造商包括戴尔公司、惠普公司、苹果计算机公司和Gateway公司。

　　从2003年12月份开始，美国司法部对全球范围的共谋限定DRAM芯片价格进行了调查，目前已经起诉了4个DRAM芯片制造商和18个人。美国司法部反垄断部门助理监察官Thomas O.Barnett在一份郑重声明中表示：“我们对这些人在违法活动中的因果关系选定他们被罚款的数量和监禁时间。”

　　先前Park曾担任三星公司销售副总裁，在美国司法部的共谋限定DRAM芯片价格调查中，他是三星公司第5个被美国司法部判处监禁的官员。美国司法部表示，Park参与了与其他DRAM储存芯片制造商讨论芯片价格的会议，他专注于协商芯片的价格。

　　2005年5月分，全球第二大DRAM储存芯片制造商韩国现代半导体公司被判处交纳罚款1.85亿美元。去年11月份，三星因共谋限定DRAM芯片价格已经被美国司法部判处罚款3亿美元。

　　2004年10月份，因共谋限定DRAM芯片价格，德国英飞凌科技公司被美国司法部判处支付罚款1.6亿美元。今年1月份，日本储存芯片制造Elpida储存公司也同意服罪并支付罚款8400万美元。